Leptanie
1) Prejdite do BSG
Kremíkové doštičky sa umývajú v stroji na čistenie reťazí plávaním na vode (so zadnou stranou v kontakte s roztokom kyseliny), aby sa odstránil BSG zo zadnej strany. Hlavnou zložkou roztoku kyseliny je 24,5 % HF a hlavná rovnica chemickej reakcie zahŕňa:
HF+SiO2→SiF4+H2O
SiF4+HF→H2SiF6
Po umytí vodou a vysušení veterným nožom vstupuje do ďalšieho procesu. Zariadenie čistiaceho stroja BSG je poloutesnené zariadenie, ktoré obsahuje nádrž na kyselinu, nádrž na čistenie čistej vody a systém indukovaného ťahu na vytvorenie prostredia s mikropodtlakom vo vnútri zariadenia a na zachytávanie prchavých plynov.
Hlavné znečistenie v tomto procese zahŕňa kyslý odpadový plyn (G4) obsahujúci HF, ktorý sa zhromažďuje potrubím a posiela sa do veže na čistenie kyslých odpadových plynov na čistenie. Vysoko koncentrované kyslé odpadové vody obsahujúce kyselinu fluorovodíkovú (W10) a všeobecné kyslé čistiace odpadové vody (W11).
2) Zadný lept
Na zlepšenie odrazivosti zadnej strany kremíkového plátku je zadná strana kremíkového plátku vyleštená alkáliou a leštiacim prostriedkom.
Sekcia alkalického leštenia (6 riadkov) obsahuje moduly ako predčistenie, umývanie vodou, alkalické leštenie * 2, čistenie peroxidom vodíka (rezervované), mikro zamat (rezervované), čistenie čistou vodou, následné čistenie, čistenie čistou vodou, umývanie kyselinou * 2, umývanie čistou vodou po umývaní kyselinou, pomalé ťahanie pred dehydratáciou, sušenie * 5 atď. Celý proces spätného leptania sa vykonáva automaticky pomocou prenosového ramena na odoslanie vopred vyčistených kremíkových plátkov do oblasti podávania alkalický leštiaci stroj. Kremíkové plátky prechádzajú cez rôzne korózne a čistiace nádrže v automatickom uzavretom alkalickom leštiacom stroji cez valce. Zariadenie automaticky riadi dopĺňanie kyseliny, alkalického roztoku a čistej vody v každom module. Kyslý a zásaditý roztok v nádrži sa prečerpáva potrubím a odpadová voda z nádrže sa pravidelne vypúšťa.
3) Predčistenie
Po spracovaní vstupuje kremíkový plátok do čistiacej nádrže, aby sa odstránili zvyšky organických látok a zabezpečila sa čistota povrchu kremíkového plátku, čím sa do určitej miery zlepší účinnosť konverzie batérie. Ponorte naložené kremíkové doštičky do predbežného čistenia, pridajte do nádrže čistú vodu a pridajte primerané množstvo roztoku NaOH alebo čistiaceho roztoku (očakáva sa, že koncentrácia NaOH bude {{0}},39 %, koncentrácia H2O2 je očakáva sa 0,61 %) podľa pomeru pre vysokoteplotné čistenie (60 stupňov ). Po predčistení vykonajte čistenie čistou vodou. Čistenie čistou vodou je celé čistenie ponorením s prepadom, ktoré sa vykonáva pri izbovej teplote počas 100 sekúnd.
4) Alkalické leštenie a umývanie
Zásobník alkalického leštenia je vybavený čistou vodou a pridáva sa primerané množstvo roztoku NaOH a leštiacich prísad (roztok NaOH je asi 1,6 %, koncentrácia leštidla je 0,97 %). Potom sa zadný povrch kremíkového plátku vyleští pri prevádzkovej teplote 65 stupňov. Pred opláchnutím čistou vodou umyte alkáliou. Chemické reakcie, ktoré sa vyskytujú počas procesu vrhania alkálií, sú nasledovné:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
Pracovná teplota alkalickej umývacej nádrže je 65 stupňov a doba alkalického umývania je riadená na 220 s.
5) Po čistení a výrobe mikro zamatov
Do nádrže pridajte čistú vodu a pridajte vhodné množstvá roztoku NaOH a peroxidu vodíka (roztok NaOH asi {{0}},55 %, koncentrácia peroxidu vodíka 0,25 %) podľa pomeru na čistenie pri izbovej teplote. Po vyčistení vykonajte čistenie čistou vodou.
Chemické reakcie, ktoré sa vyskytujú počas mikro zamatového procesu, sú nasledovné:
Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑
6) Premývanie kyselinou
Po vyčistení by sa mal na čistenie vysokej čistoty použiť zriedený roztok kyseliny ({{0}},9 % HCl a 0,23 % HF). Funkciou HCl je neutralizovať zvyškový NaOH, zatiaľ čo funkciou HF je odstrániť vrstvu oxidu na povrchu kremíkového plátku, čím sa stáva hydrofóbnejším a vytvára kremíkový komplex H2SiF6. Prostredníctvom komplexácie s kovovými iónmi sa kovové ióny oddeľujú od povrchu kremíkového plátku, čím sa znižuje obsah kovových iónov a pripravujú sa na difúznu väzbu. Po umytí kyselinou vyčistite čistou vodou.
Chemické reakcie, ktoré sa vyskytujú počas procesu morenia, sú nasledovné:
HCl+NaOH=NaCl+H2O
SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O
Pracovná teplota moriacej nádrže je pri izbovej teplote a doba morenia je riadená na 100 sekúnd.
7) Sušenie
Preneste pomaly vytiahnutý predsušený kryštalický kremíkový plátok do sušiacej nádrže a fúkajte horúci vzduch o 90 stupňoch hore a dole na plátok na sušenie pomocou elektrického ohrevu.
Vo vyššie uvedenom procese spätného leptania procesy predčistenia, alkalického leštenia a následného čistenia generujú vysoko koncentrovanú alkalickú odpadovú vodu obsahujúcu hydroxid sodný (W12, W14, W16) a všeobecnú alkalickú odpadovú vodu z čistenia (W13, W15, W17). Proces kyslého prania vytvára vysoko koncentrovanú kyslú odpadovú vodu obsahujúcu kyselinu chlorovodíkovú a kyselinu fluorovodíkovú (W18) a všeobecne kyslú odpadovú vodu z čistenia (W19, W20). Vyššie uvedená operácia sa vykonáva v uzavretom alkalickom vrhacom stroji. Proces kyslého premývania bude volatilizovať a produkovať kyslý odpadový plyn (G5) obsahujúci HCl a HF, ktorý sa bude zhromažďovať potrubím a posielať do veže na umývanie kyslých odpadových plynov na spracovanie.
In situ doping ukladania POPAID
Proces POPAID je kľúčovou technikou na prípravu povlakov dosiek integráciou vrstiev tunelového oxidu a vrstiev dopovaného kryštalického kremíka.
Po prvé, kremíkový plátok vstupuje do plniacej komory za atmosférických podmienok, je transportovaný do 30} 0 stupňovej predhrievacej komory a potom vstupuje do procesnej komory PO. V tomto čase je O2 transportovaný do bloku separácie plynov cez priedušnicu a je aktivovaný vysokofrekvenčným napájaním na ionizáciu. Ióny oxidujú na povrchu kremíkového plátku a vytvárajú tunelovú oxidovú vrstvu; Potom kremíkový plátok prechádza cez prechodovú a vyrovnávaciu komoru a je prenesený do platenej komory. Platený zdroj ukladá určitú hrúbku amorfného kremíka na zadnú stranu substrátu a počas procesu nanášania sa zavádza plyn PH3. Plynný fosfín vstupuje do zariadenia a je excitovaný do stavu fosforových iónov vysokonapäťovou rádiovou frekvenciou 10 kev a 0.{5}}kev. Medzi zdroj iónov a zem sa pridáva jednosmerné vysoké napätie, takže ióny fosforu získavajú energiu cez vysokonapäťové elektrické pole. Šírka lúča je 420 mm a potom sa kremíkový plátok prenesie na spodok lúča. Počas procesu, keď atómy plateného zdroja lietajú smerom k substrátu, nesú P ióny alebo reagujú s P iónmi, aby sa dosiahli in-situ dopovanie fosforu.
Hlavná reakčná rovnica je: PO+ZAPLATENÉ＝POPAID
Plazmová oxidácia (PO): SiH4+O2 → SiO2
Plazmou asistovaný in-situ doping (PLATENÝ): Si (zdroj)+PH3 → n-Si
Po dokončení reakcie sa vháňa dusík a ión sa vstrekuje do samostatného adsorbentu s účinnosťou úpravy až 100 %. Koncentrácia fosfínu pred vstupom do adsorpčnej veže je 179,05 ppm a po adsorpcii nie je detegovaný žiadny PH3. Tento projekt plánuje pripojiť tieto výfukové plyny k veži odpadových plynov DA003 na spracovanie a potom ich vypustiť. Zároveň spoločnosť plánuje nainštalovať automatický alarm pre únik fosforu s detekčným limitom 0,1 mg/m3.
Analýza procesov produkcie znečistenia: Hlavnými procesmi znečistenia v tomto procese sú Ar, PH3 a N2 zavedené počas procesu, ktoré sa zhromažďujú špeciálnym potrubím a posielajú sa do veže na čistenie kyslých odpadových plynov na čistenie.